양극성 빛 감지 폴리이미드(p-PSPI) 빛 감지수지를 중심으로 연구된 결과, 이족이마이드의 선행물에 대한 에스테르화 정도를 조절하는 효과적인 방법이 개발되었으며, 50°C에서 2시간 동안 에스테르화 최적 조건이 결정되었습니다. 포토립르리 소재 공정에서는 혼합제 농도, 민감제 함량, 온도 및 예고 및 시간 등 요인이 p-PSPI 빛 화학 반응에 미치는 영향을 심층적으로 연구하였습니다. 365 nm 파장의 자외선 조사에서 대비가 2.5에 이르며 감도가 70 mJ/cm2 이며 좋은 해상도를 보이며 유리판에서 10 μm, 실리콘 웨이퍼에서 3 μm까지 달성합니다. 이두이마이드화 는 폴리이미드 도정도를 현저하게 향상시켰으며, 노괠약 입에 대한 녹는 속도 차이를 향상시키고 우수한 리소그래피 능력을 보여 반도체, 집적회로 등 분 슬품연계도메 로 활용 가능성이 매우 높습니다.

빛 감지 폴리이미드; 이두이드화; 리스토리 소재 공정; 고 빛 감지 특성