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光敏层厚度与退火温度调控对聚3-己基噻吩光电探测器性能的影响
光敏层厚度与退火温度调控对聚3-己基噻吩光电探测器性能的影响
Effects of Annealing Temperature and Active Layer Thickness on the Photovoltaic Performance of Poly(3-hexylthiophene) Photodetector
- 2020年51卷第4期 页码:338-345
DOI: 10.11777/j.issn1000-3304.2019.19206
修回:2019-12-24 ,
录用:2019-12-24
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